מספר מוצר של יצרן:
TSM1N45CT B0G
Product Overview
יצרן:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
TSM1N45CT B0G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 450V 500MA TO92
תיאור מפורט:
N-Channel 450 V 500mA (Tc) 2W (Tc) Through Hole TO-92
מלאי:
12895777
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TSM1N45CT B0G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Taiwan Semiconductor
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
450 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
500mA (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.25Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.25V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
235 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-92
חבילה / מארז
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
מידע נוסף
שמות אחרים
TSM1N45CTB0G
TSM1N45CT B3G-DG
TSM1N45CT B0G-DG
TSM1N45CT B0GTR
TSM1N45CT B0GTR-DG
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TSM126CX RFG
MOSFET N-CH 600V 30MA SOT23
TSM160P04LCRHRLG
MOSFET P-CH 40V 51A 8PDFN
DMT3020LFDF-7
MOSFET N-CH 30V 8.4A 6UDFN
